收藏本站
MR25H10
SPI COMMUNICATIONS PROTOCOL
The WRSR command is entered by driving CS low, sending the command code and status register write 
data byte, and then driving CS high.The WRSR command is entered by driving CS low, sending the com-
mand code and status register write data byte, and then driving CS high.
Figure 2.4 WRSR
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15 Mode 3
SCK
Instruction (01h)
Status Register In
Mode 0
SI
0
0
0
0
0
0
0
1
7
6
5
4
3
2
1
0
MSB
SO
High Impedance
Read Data Bytes (READ)
The Read Data Bytes (READ) command allows data bytes to be read starting at an address specified by the 
24-bit address. Only address bits 0-16 are decoded by the memory. The data bytes are read out sequen-
tially from memory until the read operation is terminated by bringing CS high The entire memory can be 
read in a single command. The address counter will roll over to 0000h when the address reaches the top of 
memory. 
The READ command is entered by driving CS low and sending the command code. The memory drives the 
read data bytes on the SO pin. Reads continue as long as the memory is clocked. The command is termi-
nated by bring CS high.
Figure 2.5 READ
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
SCK
Instruction (03h)
24-Bit Address
SI
0
0
0
0
0
0
1
1
X
X
X
3
2
1
0
SO
MSB
High Impedance
7
6
5
Data Out 1
4 3
2
1
0
7
Data Out 2
MSB
Copyright ? Everspin Technologies 2013
7
MR25H10 Rev. 9, 4/2013
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
MR25H256CDF IC MRAM 256KBIT 40MHZ 8DFN
MR25H40CDF IC MRAM 4MBIT 40MHZ 8DFN
MR2A08AMYS35R IC MRAM 4MBIT 35NS 44TSOP
MR2A16ATS35CR IC MRAM 4MBIT 35NS 44TSOP
MR2A16AVMA35R IC MRAM 4MBIT 35NS 48BGA
MR4A08BCYS35R IC MRAM 16MBIT 35NS 44TSOP
MRJ-5385-01 CONN RCPT 8POS 2GRN 1PORT PCB
MRJ548501 CONN MOD JACK 8P8C R/A GRN/GRN
相关代理商/技术参数
MR25H10CDFR 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
MR25H10MDC 功能描述:NVRAM 1Mb 3V 128Kx8 Serial MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
MR25H10MDCR 功能描述:NVRAM 1Mb 3V 128Kx8 Serial MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
MR25H10MDF 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 SPI Pre-Qual Sample MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
MR25H10MDFR 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 SPI Pre-Qual Sample MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
MR25H256CDC 功能描述:NVRAM 256Kb 3V 32Kx8 Serial MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
MR25H256CDCR 功能描述:NVRAM 256Kb 3V 32Kx8 Serial MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
MR25H256CDF 功能描述:NVRAM 256Kb 3.3V 32Kx8 Serial MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube